Siliziumkapazität
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SSLC471M2B79A
Geltungsbereich • Die Spezifikation gilt für Einschichtkondensatoren.• Typ: SSLC471M2B79A Struktur • Elektrodenoberseite (Anode): AL = 3 µm ± 3000 A Rückseite (Kathode): Ti /Au = 5000 A ~ 6000 A • Dielektrizitätskonstante (SiNx): 7,5 Größe • Chipgröße (vor dem Schneiden): 0,820 ± 0,02 mm * 0,820 ± 0,02 mm • Chipgröße (nach Würfeln): 0,790 ± 0,03 mm * 0,790 ± 0,03 mm • Dicke: 0,210 ± 0,015 mm • Musterzeichnung: gemäß Abb. 1 Elektrische Eigenschaften -
SSLC122M2A79A
Geltungsbereich • Die Spezifikation gilt für Einschichtkondensatoren.• Typ: SSLC122M2A79A Struktur • Elektrodenoberseite (Anode): AL = 3 µm ± 3000 A Rückseite (Kathode): Ti/Au = 5000 A ~ 6000 A • Dielektrizitätskonstante (SiNx): 7,5 Größe • Chipgröße (vor dem Schneiden): 0,820 ± 0,02 mm * 0,820 ± 0,02 mm • Chipgröße (nach Würfeln): 0,790 ± 0,03 mm * 0,790 ± 0,03 mm • Dicke: 0,210 ± 0,015 mm • Musterzeichnung: gemäß Abb. 1 Elektrische Eigenschaften -
SSLC103M1A79A
Geltungsbereich • Die Spezifikation gilt für Einschichtkondensatoren.• Typ: SSLC103M1A79A Struktur • Elektrodenoberseite (Anode): AL = 3 µm ± 3000 A Rückseite (Kathode): Ti /Au = 5000 A ~ 6000 A • Dielektrizitätskonstante (SiNx): 7,5 Größe • Chipgröße (vor dem Schneiden): 0,820 ± 0,02 mm * 0,820 ± 0,02 mm • Chipgröße (nach Würfeln): 0,790 ± 0,03 mm * 0,790 ± 0,03 mm • Dicke: 0,210 ± 0,015 mm • Musterzeichnung: gemäß Abb. 1 Elektrische Eigenschaften -
SSLC102M1C80A
Geltungsbereich • Die Spezifikation gilt für Einschichtkondensatoren.• Typ: SSLC102M1C80A Struktur • Elektrodenoberseite (Anode): AL = 3 µm ± 3000 A Rückseite (Kathode): Ti /Au = 5000 A ~ 6000 A • Dielektrizitätskonstante (SiNx): 7,5 Größe • Chipgröße (vor dem Schneiden): 0,830 ± 0,02 mm * 0,830 ± 0,02 mm • Chipgröße (nach Würfeln): 0,800 ± 0,03 mm * 0,800 ± 0,03 mm • Dicke: 0,210 ± 0,015 mm • Musterzeichnung: gemäß Abb. 1 Elektrische Eigenschaften
